XPJ(中国)

24

2014

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“中国芯”加油!中芯*自主搞定 38nm NAND 闪存

作者：

　　中芯*(SMIC)今天宣布，完全自主研发的38nmNAND闪存工艺已经准备就绪，凭此成为国内单一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。
　　
　　中芯*的38nm闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IOT)、电视及机顶盒等应用领域，也可用于串行外设接口SPINAND。
　　
　　在此之前，中芯*已经连续开发出了130nm、65nm等工艺的特殊NOR闪存平台，后续还会继续研发2x/1xnmNAND、3DNAND等先进工艺。
　　
　　虽然中芯*的技术和当前*主流的20/19nmNAND闪存差了一大截，东芝、美光等的16/15nmNAND也都开始量产了，但这毕竟是中芯*的“*次”，实现了巨大的飞跃，打破了*垄断，后续也值得期待。