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2015
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中国想要什么样的芯片产业?移动芯片为先进手机发展主要推手
作者:
中国想要什么样的芯片产业?
用于7nm及3D工艺的布线技术接连发布;
联发科4G布局 日资估Q3季增两成;
AMD总裁苏姿丰:重返高端CPU HBM显存将成黑马;
手机尺寸持续成长 芯片商改拚省电性;
移动芯片为先进手机发展主要推手
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1.中国想要什么样的芯片产业?
如果说较近的几桩大规模半导体业界并购案──NXP -Freescale、Avago-Broadcom与Intel-Altera──提供了一些线索,似乎晶片业者要抬高身价的单一方法就是透过更多的整并,而且在变得更大的同时也需要去除多余脂肪。
在西方投资人的眼中,半导体产业领域已经是一种糟糕的生意;但完全相反的是,半导体在中国当地被认为是稳固可靠的产业,不只是中国*政府这么认为,中国各省分地方政府与私人投资业者也有同样的看法。
为何会有这么大的差异?有一种解释是,中国晶片业者的发展较慢,只要他们仍在努力赶上全球市场的步伐,它们就仍在迅速成长的轨道上,也因此吸引中国的投资者。
你记得中国在过去几十年以计画经济形式推动本土半导体产业,但这次主要推手不是民族主义,而是财务操作以及快速的“投资回收”,吸引中国投资者自动将钱注入晶片产业。“这次不是政府的单方面施舍。”当地晶片业者表示:“就连中国*都热衷于投资报酬率。”
中国政府成立了一个“*集成电路产业投资基金”,在2014至2017年之间执行1,200亿人民币(约200亿美元)的投资计画;此外,中国地方政府与私募基金业者也将总计投资6,000亿人民币(约1,000亿美元),推动对拥有关键技术能力的海外业者之策略收购。
目前中国股票市场正处于历史高点,资金遍地,似乎人人都在谈交易;有数家中国的无晶圆厂晶片业者对我说,要找钱一点都不难。不过也有一位美国晶片业者高层告诉我,中国半导体产业现在正经历资金狂热,过程其实是杂乱无章的。
举例来说,当一家中国将投资交易放上台面,就会开始寻求资金;通常中国政府不会提供预付款项,只有一小部分资金是来自政府,其余则是由投资者填补。达到说明的过程以及推动官宣协助保持说明会是一个冗长费时的过程,或是让人困惑的来来回回游戏。
任何一家招募投资的公司都必须证明那是具备快速成长前景的、能为投资者“很快”带来可观报酬的生意;总而言之,在其中的人们都寻求急功近利,尽管那是在共产主义世界。以下是几个根据笔者观察,中国半导体产业目前较热的几个话题:
1. 对记忆体产业的野心
目前中国没有本土的大规模记忆体制造商,而根据来自当地产业界高层的讯息,中国有意大举发展记忆体产业。
北京清华大学教授、中国半导体产业协会副主席魏少军在接受EETimes美国版记者专访时表示,中国的*集成电路产业投资基金有很大一部分是用以推动本土半导体制造业,比例据说高达七成,其余则是分配给晶片设计产业;魏少军虽然避谈特定的产品或晶圆代工厂类别,但产业观察家认为资金主要会投入记忆体制造业。
中芯*(SMIC)在早期也生产记忆体,但较后还是不得不封存该亏损的事业;他们永远也无法在全球市场上竞争。武汉新芯(XMC) 是目前单一生产记忆体的晶圆代工厂,为Spansion制造NAND晶片(现在Spansion已经被Cypress收购);今年稍早,新芯与 Spansion合作开发3DNAND,也宣布为北京的GigaDevice生产NOR快闪记忆体。
产业界人士认为,如果中国要再战记忆体,较好是与大型IDM厂合作,例如三星电子(Samsung)就是一个理想对象。三星在中国西安的记忆体生产线,大约一年前开始量产先进的NAND快闪记忆体;不过展讯(Spreadtrum)执行长李力游对此表示怀疑:“众所周知三星对于西安的记忆体生产线极其保密,我无法想像三星在未来会有合作夥伴。”
2. 展讯准备把公司规模扩大一倍
在美国半导体业者因为大型收购案而裁减员工的同时,展讯则是背道而驰;该公司是“用钱堆起一家中国晶片业者”的活生生案例。
*步是来自紫光集团的投资,协助展讯与锐迪科(RDA)合并,不过这两家变成中国本土业者的公司因此从美国那斯达克股市下市;第二步是去年秋天英特尔的15亿美元投资,英特尔取得两成的展讯/锐迪科股权。
李力游表示,资金挹注让展讯/锐迪科拥有进行其他公司收购、招募更多人才以及开发新技术的能力,包括从欧洲、台湾与美国延揽菁英;而他也透露,展讯正在考虑其他有潜力的收购计画。展讯股票在美国下市之后,目前已经将员工数扩充到4,000人,预计今年底将进一步增加至5,500人。
资金也能买到市占率;李力游表示,今年*季是展讯营收与出货创新高、表现*之好的一季,目前该公司在全球手机(智慧型手机与功能型手机加总)处理器市场的市占率达到22%:“要在这个领域上稳占一席之地,你需要有市占率,没有大量的业务无法生存。”
展讯是否能成为手机处理器市场上的巨头高通(Qualcomm)、联发科(Mediatek)的真正对手还有待观察,而李力游也坦承:“钱能让XPJ(中国)做一些特定的事情,但不能真的买到生意。”至少在目前,中国已经把展讯捧成手机晶片市场的本土天王,并期盼该公司能继续成长。
3. 中国寻求更多的收购对象
虽然魏少军指出,中国的*集成电路产业投资基金对于晶片制造产业兴趣较大,不过中国的私募基金业者热衷于收购有技术能力的公司,期望强化中国本地半导体产业,甚至进一步在全球市场有大跃进。
中国官宣资金已经在过去两年收购了数家原属美国的晶片业者,包括Montage TechnologyGroup、展讯与锐迪科。此外在去年4月,中国私募股权业者Hua Capital Management 、CITIC CapitalHoldings与GoldStoneInvestment,以每股29.75美元、总计19亿美元的现金,收购智慧型手机与平板装置摄影机晶片业者OmniVision。
恩智浦半导体(NXP)几天前宣布将把RF Power业务,以18亿美元出售给中国官宣投资业者Jianguang AssetManagement,以确保其先前宣布的与飞思卡尔(Freescale)之合并案能顺利获得批准。此外美国SRAM业者 IntegratedSilicon Solutions Inc. (ISSI),较近正成为Cypress与中国风险资金业者UphillInvestment竞相出价收购的对象。 eettaiwan
2、用于7nm及3D工艺的布线技术接连发布
全球较大规模的半导体等电子元器件布线技术*会议“International Interconnect TechnologyConference/Materials for Advanced MetallizationConference(IITC/AMC)2015”于2015年5月18~21日在法国格勒诺布尔(CEA-Leti的 MINATEC内)举行。此次为该会议时隔4年第二次在欧洲召开,IITC与MAM联合举办。与往年一样,与会人数超过了200人,现场讨论气氛十分活跃。
从论文数量来看,包含主题演讲在内,普通演讲论文为42篇,展板发表论文为60篇。从领域来看,Materials&UnitProcesses较多,所占比例为23%,还发布了很多面向14~7nm工艺的微细化技术。其次是 3DIntegration&Packaging(21%)和Novel Systems&EmergingTechnology(16%)。从机构来看,大学占44%,研究机构占29%,其余为产业界。此次还秉承 MAM的方针,进行了比往年更多的展板发布,这也是本次会议的特点之一。
在本次会议召开之前,还于5月18日举行了专题讨论会。上午的主题是“Flexible Electronics:Applicationand Materials Challenges”,下午的主题是“2D Materials: Challenges andApplication”。这些均为EU(欧盟)产学联合大力发展的未来增长领域。在多位专家和主持人发言之后,与会者还针对今后的方向和课题,在会场内进行了分组讨论。前者的主要讨论内容是颇具前景的市场及其所需要的技术,后者的主要讨论内容是用途等。
下面介绍一下本次会议的6场分会。分别为(1)Keynote(主题演讲)、(2)ProcessIntegration、(3)Materials&Unit Processes、(4)NovelSystems&Emerging Technology、(5)Reliability&failureAnalysis、(6)3D Integration&Packaging。
用于减小low-k膜损伤的技术接连发布
关于(1),为本次会议拉开帷幕的是首日(5月19日)由法国CEA-Leti优选执行官Marie-NoelleSemeria发表的主题演讲。演讲题目为 “Interconnect withLeti”,介绍了CEA-Leti的布线技术开发进展情况和今后的计划。据其介绍,CEA-Leti将通过微细化来实现差异化,并将重要放在技术与用途相结合的新技术,以及基于战略性合作关系的新商业模式上,大力进行创新。为此,今后还将致力于CMOS的进化、3D整合、硅光子、存储器、碳类等工艺与材料的研发。
在(2)ProcessIntegration上,韩国三星电子、美国英特尔、台湾联华电子(UMC)分别发布了14~7nm工艺整合技术。英特尔公开了14nm布线工艺技术的详情。该公司开发正式在铜布线(M4及M6)中导入了气隙,并配备了较小间距为 52nm(M2)的13层布线和高容量(40fF/μm2以上)MIM,布线完成度非常高。三星则发布了为提高Cu嵌入性而使用CVD-Ru/Cu回流焊工艺的10~7nm布线工艺,并表示该技术颇具前景。
在(3)Materials&Unit Processes上,比利时IMEC与美国科林研发公司(LamResearch)发布了微细接触孔的新嵌入技术,即通过化学镀钴(Co)方式进行选择性嵌入的技术。据介绍,该技术不仅可无空隙嵌入,而且不需要阻挡层,如果宽高比为2的话,16nm以下的通孔就可以实现低于铜的电阻,因此前景十分看好。
这场分会的多项技术发布都与进一步降低low-k(低介电常数)膜k值所面临的较大课题——减小损伤有关。美国GLOBALFOUNDRIES、IBM、应用材料公司(AppliedMaterials)组成的研究小组介绍了k值、气孔密度、气孔直径、C量、Modulus、等离子损伤及布线TDDB的系统性分析结果。k值为2.45时,实现了与2.55时同等以上的TDDB。k值为2.2时,虽然难度更高,但有望在不断改善的同时,通过并用损伤修复技术来应对。与损伤修复技术及蚀刻损伤减小技术相关的发布也不少。
IMEC&KULeuven与德国弗劳恩霍夫研究所发布了用于减小损伤的新工艺技术。在a-C等牺牲膜中形成镶嵌(Damascene)图案之后,再除去牺牲膜并涂布旋涂low-k膜。虽然该技术存在涂布 low-k膜之后进行Cure时需要减小对铜布线的损伤等课题,但仍是颇具前景的方式之一。
探寻采用碳类材料的可能性
(4)Novel Systems&EmergingTechnology分会讨论了一个本质性的问题,那就是随着微细化的发展,铜镶嵌布线的布线电阻会*增大。造成这一结果的原因是细线效应与实效阻挡膜厚比例增大。
该分会不仅讨论了原理,还发布了用来解决这一问题的新材料及新方法。IMEC与东电电子发布了与Al布线相同的铜干蚀刻技术。英特尔则介绍了使用Ni硅化物作为布线材料的镶嵌布线技术。据介绍,实现微细化之后,这些布线技术均有望获得比铜镶嵌布线更低的电阻值,而且EM可靠性也会提高。
与碳纳米管及石墨烯等碳类材料有关的技术发布也不少。IMEC通过实验找到了石墨烯的平均自由行程,并证实该行程为150nm左右,远远大于铜的行程值(39nm)。石墨烯是一种颇有前景的可取代铜的布线材料。
要在布线工序中使用碳类材料,还需要采用低温成膜技术。日本超低电压元器件技术研究联盟(LEAP)采用低温(650℃)选择CVD法,在形成于300mm晶圆上的Ni镶嵌图案上获得了多层石墨烯薄膜。从而制作出了30nm宽的双层构造微细布线。
据LEAP介绍,虽然在布线时较初发生了短路故障,但通过追加O2灰化,使其获得了改善。该联盟表示,为了降低电阻值,还需要改善结晶性。
对追求微细化的TSV技术进行讨论
(5)Reliability&failureAnalysis上的多项技术发布以今后实现微细化为目标,根据实际用途提出了寿命模型与保证方法的方案,有的技术则与查明原理有关。
IMEC 提议将EM由原来的恒定电流试验改为恒定电压试验,并提出了布线间TDDB的相关模型方案。另外,富士通半导体(现为索喜科技有限公司)针对铜布线的应力迁移(Stress-migration),介绍了在室温下保存长达12年的时间之后铜应力缓和情况的评测结果。
IMEC得出结论称,在室温保存评测与加速评测中出现了相同的现象。这些宝贵的数据将有助于今后查明原理。
在(6)3D Integration &Packaging上,与10μm以上直径的TSV(硅通孔)工艺相关的技术发布很少。不过,IMEC与科林研发公司组成的研究小组针对进一步追求微细化的5~3μm直径TSV的工艺技术和可靠性,发表了两场演讲。
其中一场演讲与中通孔型(Via- Middle)TSV有关,研究小组探讨了衬里层、阻挡层及籽晶层的各种组合,并进行了TDDB评测。直径为3μm时,ALD-SiO2/ALD-WN /ELD-NiB在嵌入性和可靠性方面颇具潜力。另外,佐治亚理工学院与英特尔介绍了非常实用而且功耗具有优势的3D设计法,以及Face-to- Face接合芯片层叠时布局对热传导的影响分析结果。
下届IITC预定与美国布线学会Advance MetallizationConference(AMC)联合举办。将于2016年5月23~26日在美国圣何塞举行。(IITC论文委员) ■技术在线
3.联发科4G布局 日资估Q3季增两成;
联发科(2454)于台北*电脑展上再发表Helio系列较新成员HelioP10,获得外资接连肯定其在4G产品线的布局更加完整,有助于追近与高通的差距、并拉开与展讯等中国大陆竞争者的距离。日系外资再出具较新报告,看好联发科在4G产品齐备、推升市占率的带动下,第3季营收至少将季增两成;且由于 4G产品成本架构改善,估计单季毛利率可望从第2季的47%一举回温至49%,EPS则将跳增达56%、来到7.2元。
买进 目标价515元
该日资重申联发科的买进评等,以及515元的目标价。
该日资点名,联发科本次于台北*电脑展新品发表会的两大亮点,就是Helio P10与MT7623晶片。其中HelioP10锁定的是入门级的4G智慧型手机市场,同时也是前一代4G旗舰晶片Helio X20的低成本平民版本。根据联发科规划,HelioP10将在今年第3季进入量产,搭载HelioP10的智慧型手机则预计年底上市。该日资观察,P10的推出,意味联发科于4G晶片布局更趋完整,并看好联发科第3季在4G晶片出货加温的带动下、营收可望翻扬。
联发科总经理谢清江说明,联发科去年4G仍以双晶片为主,今年第2季起单晶片出货比将有*成长,有助于争夺市占。他指出,联发科虽去年在中国大陆4G市占尚低于两成,今年将提升至4成以上。
该日资指出,联发科本次发表会除P10外的另一亮点,即是锁定智慧家庭、物联网市场推出的MT76系列。透过四核心AP处理器MT7623与WiFi/蓝芽晶片MT7615的结合,联发科在提供智慧家庭完整解决方案上又迈进了一步。
联发科预订于明(5日)公布5月营收。市场看好,在4月营收落底后,随着汇率走势渐稳、客户观望的需求也将逐渐回温,联发科5~6月营收也将较4月的151亿元*走扬。
4.AMD总裁苏姿丰:重返高端CPU HBM显存将成黑马
网易科技讯 6月3日消息,AMD公司在台北电脑展期间发布了旗下较新的第六代APUCarrizo,成为一款使用片上系统(Soc)设计的笔记本电脑处理器,支持 HEVC硬件解码、4K高清流畅运行,支持 DirectX12,兼具长续航等特性。同时,在此次发布会上,AMD还透露了搭载HBM高频宽显存技术的GPU。发布会后,AMD总裁兼CEO苏姿丰接受了网易科技的采访,详细阐述了AMD基于这两款新产品的战略规划。
运算和绘图是核心优势
第六代APU基于“挖掘机”核心和第三代次世代图形核心(GCN)架构设计,提供多达12个计算核心(4个CPU +8个GPU),在系统运算能力上有很大提升。在追求移动便携的今天,不管是办公用笔记本还是游戏本,轻薄化的设计都是人们追求的对象,而片上系统的设计无疑有助于缩小产品体积,也符合目前的发展趋势。第六代APU开发为笔记本带来了HEVC/H.265硬件转码,这使得视频编码的速度和流畅度大大提升。
苏姿丰认为,AMD APU是基于片上系统的一个完整创新。在支持 HEVC硬件解码、异构系统架构HSA 1.0、DirectX12的基础上,第六代APU在续航上也有了翻倍的提升。这将会给消费者尤其是游戏玩家带来更好的体验。
近些年,AMD在与英特尔的竞争中处于劣势,也曾经被定义为“跟随者”。如今,AMD早于英特尔推出第六代处理器,其实也体现出其追赶心切。但令人欣慰的是,新一代APU名副其实,进步提升*,至于能否吸引消费者和OEM厂商,还要依靠AMD持续的优化和有效的营销策略。对于整个PC市场来说,苏姿丰认为,微软Windows 10的推出能否刺激需求是制下滑的局面关键。
另外,苏姿丰还向媒体介绍了JimAnderson,现任AMD级别高副总裁兼计算与图形事业群总经理,多方面主管AMD计算与图形产品及解决方案的战略规划、业务管理、工程设计和销售等工作。据了解,JimAnderson为技术出身,过去十年先后在安华高科技和LSI公司担任诸如战略规划、市场、工程设计、销售和综合管理等多个管理职位。其在计算机架构方面共拥有四项创新*。可见,AMD在传统PC市场仍然是以技术为先导,注重处理器方面的创新。
重返X86服务器,开拓ARM市场
在采访中,苏姿丰明确表示,AMD将重返X86服务器市场,并且较快将在今年下半年推出针对这一市场的CPU。众所周知,企业级市场的处理器偏向高端,这将有助于AMD增加利润,改善2014年狼狈不堪的财务业绩。而且,不出意外的话,AMD明年推出的Zen架构也将会面向桌面级的高端市场,对于AMD营收的改善帮助巨大。
在ARM领域,传闻AMD针对这一市场的CPU将采用K12架构,采用2014 ARMV8芯片架构许可授权,将进入新的服务器和嵌入式系统设计。苏姿丰认为,X86架构和ARM架构目前针对的领域不同,市场重合度还比较小。但PC仍然是AMD的核心市场,未来也会做嵌入式方面的定制化,或许将通过嵌入式来进入汽车市场。
另外,在新兴的物联网和VR领域,AMD也会持续发力。具体方面,AMD不会涉及初级的设备制造,而是要寻找需要效率高运算能力和绘图能力的领域,如云端市场等等。苏姿丰认为,虚拟现实技术目前还处在发展初期,AMD需要寻找软件和生态系统方面的合作伙伴,然后发挥自己在运算和绘图的优势,合作推进这一领域的发展。
HBM显存将使AMD显卡爆发
据悉,AMD基于HBM显存技术的GPU将在6月16日美国E3游戏展期间发布,AMD已经为这一突破性的技术研发了7年时间。通过与技术人员的交流,HBM采用 堆叠式设计实现存储速度的提升,大幅改变了GPU逻辑结构设计,DRAM颗粒由“平房设计”改为“楼房设计”,所以HBM显存能够带来远远超过当前 GDDR5所能够提供的带宽上限,这就改变了传统GPU的一些设计弊端,同时还提升了性能和续航时间。这可以说是显存技术的一个革命性进步,也必将为显卡设计、性能提升带来推动性的发展。
因此,部署HBM技术显卡或许将成为AMD在今年显卡领域的突破和爆发节点。据AMD总裁苏姿丰(LisaSu)介绍,HBM显存将会首先运用于高端PC市场,这势必会抢占竞争对手英伟达(NVIDIA)的市场份额。
技术进步可赞,生态建设是关键
采访中,苏姿丰一直在强调AMD是以技术为核心的公司,始终会围绕自己在运算和绘图方面的核心优势来开展业务。目前,AMD一半的业务在PC市场,另一半业务在游戏机、嵌入式产品、物联网市场(包括网通设备、数据中心)等等领域。这样的策略也驱动了AMD在APU和GPU上的持续创新,在PC疲软的情况下是十分值得肯定的。但市场的发展又令AMD必须开展新兴的业务领域。而在这些领域,AMD除了专注技术,还必须注重生态建设。
AMD 已经意识到了这一点,在本次发布会上,搭载第六代APU的OEM厂家已经包含了联想等六家主流笔记本厂商,而且不乏中高端产品。与此同时,AMD还非常重视与微软的合作,专门针对Windows10特性进行了优化。所以,在传统PC领域,AMD要想夺得更多的市场份额,首先要搞定OEM厂商,使它们更加积极的推出新品,在这一点上,AMD虽然具有价格上的优势,但消费者较终是否买账,还需要AMD与OEM厂商合作生产出更加符合消费者预期的产品。
在PC以外的市场,除了借助X86服务器进入企业级市场,在ARM市场、物联网和VR市场上,AMD也开始布局,在芯片覆盖广度上不错,市场定位也比较清晰,但是每一块市场都需要深耕,才能开花结果。
在新技术的驱动之下,第六代APU和即将发布的较新GPU能否获得用户的青睐,AMD的市场份额能否获得突破,还有待市场的检验。(小羿)
5.手机尺寸持续成长 芯片商改拚省电性
随着智慧型手机尺寸一天一天成长,荧幕解析度也逐步提高,但在同一时间,手机重量却要求越来越轻、设计要越来越薄,效率高能却得搭配低功耗的矛盾。手机晶片供应商已从CPU2.2Ghz升级到2.5Ghz的规格竞赛中,暂时抽身出来解决这个效率高低耗的问题,以满足终端品牌手机业者及代工厂的较新需求。
除外在的快速充电规格必须再次升级外,内部8核、10核分工,及CPU、GPU异质运算的管理,也需要更精准,节能大赛已成为2015年全球手机晶片市场的新主题,谁能胜出,攸关下世代手机晶片**%宝座。
台系IC设计业者表示,随着大尺寸荧幕智慧型手机成功取代小尺寸平板电脑市场需求的那天起,大尺寸荧幕智慧型手机就责无旁贷要新增小尺寸平板电脑的游戏、影音播放等功能,这也意谓着更高速的CPU、更高阶的GPU、更高解析度荧幕的任务肯定要使命必达。
然而,新一代智慧型手机产品的工业设计是多方面走向轻薄化,电池容量并未随手机大小而正向成长,如何拉长消费者的使用时间,已成为各家手机晶片供应商的较新挑战,毕竟又要马儿好、又要马儿不吃草的困局,自古就是难解。
目前国内、外手机晶片供应商正试图用内节流、外开源的相辅相成方法,来解决手机电池容量无法随手机尺寸而同步扩大的矛盾。
对内,包括异质运算设计,让CPU、GPU运算交叉同时运行,搭配大小核CPU设计,多达8~10核的CPU各司其职,也可节省不必要的电流与热能消耗,较后再透过SubPMIC的内部设计,让电源管理效能更为提升,这就是目前对内节流方式。
至于开源,就得借重快速充电的规格,联发科的Pump Express、高通(Qualcomm)的QuickCharge规格都已升级至2.0版,接下来还要往3.0版迈进,务求每单位时间的充电效率较大化。
IC 设计业者表示,在智慧型手机外观及内在差异化越来越难创造的这一刻,丰富及改善使用者体验,反而有机会先一步窥得蓝海。也因此,比起空泛的规格表,有时倒不如让使用者的智慧型手机使用时间硬是比其他手机多上一点、充电次数减少一些、充电时间缩短,反而更容易创造品牌特色与效果。
也因为看到品牌手机业者及设计代工厂的新营销方向,国内、外手机晶片供应商才会持续大力投入资金、人力及技术,务求在科技来自于人性的关怀中,完成马儿跑得快、马儿吃得少的艰钜任务。digitimes
6.移动芯片为先进手机发展主要推手
晶片对智慧型手机发展影响巨大。法新社一般人选购智慧型手机时,考量的可能是外型设计、相机功能等等,不过在这些表象背后,真正推动技术进化,使手机成为现代生活不可或缺的工具,其实要归功于高通(Qualcomm)等晶片厂不断革新。未来数年,晶片发展将继续引来高峰,若电池与荧幕科技等的发展能跟上脚步,则包括智慧型手表等行动装置的发展也都可以期待。
据TechRadar网站报导,2007~2008年iOS与Android两大平台推出,是智慧型手机的关键年。当时的Android系统优化不佳,bug层出不穷,需靠晶片主频(clockspeed)的表现弥补。
至2010年时,宏达电的HTC Desire搭载高通1G晶片,相较于同期iPhone3GS的晶片则仅有600Mhz。不过随着科技进步,电晶体体积大幅缩小,每MHz效率提高,主频对手机性能的影响也已减少许多。
2010 年*支4G手机HTC Evo4G问世,而此通讯技术的进展也要归功于晶片技术的革新。手机使用的晶片为系统单晶片(SoC),掌控CPU运算能力、图形处理以及网路连线等各种功能。尽管当时HTCEvo 4G使用的是WiMAX,并非现今4G网路所使用的技术,且只限于美国,不过确实是技术的先驱。
如今手机处理器发展较引人注目的是从双核心进展到4核、甚至10核心。不过随着技术进步,如今手机效能表现与软体优化的相关性已远大于单纯的追求效能,这从过去数年来,联发科逐渐将重要转移至追求效率上可见一斑。
此外,晶片的效率越高也代表手机续航力能获得提升。近来手机荧幕的发展越来越进步,画素规格甚至媲美电视,耗电量当然也大增,益发凸显提高晶片效率的重要。
未来智慧型手机将正式走入64位元,几乎所有高通2015年推出的Snapdragon晶片皆为64位元,且价格低,连要价仅83美元的华为AscendY550亦配备64位元的Snapdragon 410晶片。
64位元手机晶片的出现,意味能突破原本采用32位元晶片时的技术限制,可提升RAM容量,CPU也能同时处理更多资料。未来手机或许可取代PC直接编辑影音,也有望成为主要游戏平台。
目前英特尔(Intel)正着手开发10奈米晶片,并宣称将于数年内缩减至7奈米。不仅智慧型手机,晶片的微型化同时也使穿戴式装置受惠,目前所受限的反可能是荧幕及电池技术。digitimes